2005年研究成果,技术改进
成功开发宽温低损耗高磁导率材料LP9,可在较宽温度范围内获得极低的功率损耗和平坦的磁导率曲线
开发成功宽频高磁导率材料HP1F(频宽大于500KHz,磁导率5500);HP3F(频宽大于200KHz,磁导率10000),可获得优良的高频阻抗特性。