研 究 与 发 展

1. 2006年研究计划，技术改进计划
a) 超高频低损耗材料ＬＰ５
b) 高温高饱和磁通密度材料
2. 2005年研究成果，技术改进
a) 成功开发宽温低损耗高磁导率材料ＬＰ９，可在较宽温度范围内获得极低的功率损耗和平坦的磁导率曲线
b) 开发成功宽频高磁导率材料ＨＰ１Ｆ（频宽大于５００ＫＨｚ，磁导率５５００）；ＨＰ３Ｆ（频宽大于２００ＫＨｚ，磁导率１００００），可获得优良的高频阻抗特性。